日本Advance Riko 公司致力于電弧等離子體沉積系統（APD）利用脈沖電弧放電將電導材料離子化，產生高能離子并沉積在基底上，制備納米級薄膜鍍層或納米顆粒。電弧等離子體沉積系統利用通過控制脈沖能量，可以在1.5nm到6nm范圍內精確控制納米顆粒直徑，活性好，產量高。多種靶材同時制備可生成新化合物。金屬/半導體制備同時控制腔體氣氛，可以產生氧化物和氮化物薄膜。高能量等離子體可以沉積碳和相關單質體如非晶碳，納米鉆石，碳納米管 形成新的納米顆粒催化劑。應用領域1、制備新金屬化合物，或制備氧化物和氮化物薄膜（氧氣和氮氣氛圍）；2、制備非晶碳，納米鉆石以及碳納米管的納米顆粒；3、形成新的納米顆粒催化劑（廢氣催化劑，揮發性有機化合物分解催化劑，光催化劑，燃料電池電極催化劑，制氫催化劑）；4、用熱電材料靶材制備熱電效應薄膜。
APD設備特點
◆ 系統可以通過調節放電電容選擇納米顆粒沉積直徑在1.5nm到6nm范圍內。
◆ 只要靶材是導電材料，系統就可以將其等離子體化。（電阻率小于0.01ohm·cm）。
◆ 改變系統的氣氛氛圍，可以制備氧化物或氮化物。石墨在氫氣中放電能產生超納米微晶鉆石。
◆ 用該系統制備的活性催化劑效果優于濕法制備。
◆ Model APD-P支持將納米顆粒做成粉末。Model APD-S適合在2英寸基片上制備均勻薄膜。
APD技術原理
1、在觸發電極上加載高電壓后，電容中的電荷充到陰極（靶材）上；
2、真空中的陽極和陰極（靶材）間，電子形成了蠕緩放電，并產生放電回路，靶材被加熱并形成等離子體；
3、通過磁場控制等離子體照射到基底上，形成薄膜或納米顆粒。
材料適用性：
APD適用于元素周期表中大部分高導電性金屬，合金以及半導體。所用原料為直徑10mmX17mm長圓柱體或管狀體，且電阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表顯示了可制備的材料，綠色代表*適用，黃色代表在一定條件下適用。
APD系統參數
1. 真空腔尺寸：400X400X300長寬高 2. 抽空系統：分子泵450L/s （N2， H2，O2，Ar） （1800μF下大150V） |
| |
| APD-P 1. 粉末容器：直徑95mm 高30mm 2. 形成粉末的速度：13-20cc （隨顆粒尺寸和密度變化） 3. 旋轉速度：1-50rpm |
|
|
|
|
|
|
*您想獲取產品的資料：
個人信息：
