由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大，量子限域效應明顯，消光系數大，發射光譜頻率覆蓋整個可見光范圍，并延伸至近紅外區域，尤其是不含有重金屬元素，InP量子點在平板顯示背光源、照明、生物醫學標記、指紋識別，以及太陽能領域具有廣泛的應用。 應用*專有技術合成的InP/ZnS量子點具有穩定性好，熒光發射峰范圍廣，發光效率高，波長可調等諸多優異特性。

由于其激子波爾半徑比Ⅱ-Ⅵ族的大，量子限域效應明顯，消光系數大，發射光譜頻率覆蓋整個可見光范圍，并延伸至近紅外區域，尤其是不含有重金屬元素，InP量子點在平板顯示背光源、照明、生物醫學標記、指紋識別，以及太陽能領域具有廣泛的應用。 應用*專有技術合成的InP/ZnS量子點具有穩定性好，熒光發射峰范圍廣，發光效率高，波長可調等諸多優異特性。

發射峰：500-800 nm

半峰寬：<50 nm

量子產率：>60%

表面基團：十八胺（或客戶配體）

溶劑：甲苯（或客戶溶劑）

我們可根據客戶需求，提供不同表面基團、溶劑、濃度、500-750nm間任一發射波長的HMF_InP/ZnS量子點。

由于此款產品為定制款，標價為參考價，具體價格請在線客服

發射峰 & 吸收峰

TEM測試圖