設備介紹飛行時間二次離子質譜技術（TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry，TOF-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據二次離子因不同的質量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質量，具有分辨率的測量技術
飛行時間二次離子質譜技術（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry，TOF-SIMS）是一種非常靈敏的表面分析技術，通過用一次離子激發樣品表面，打出極其微量的二次離子，根據二次離子因不同的質量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質量，具有分辨率的測量技術。
飛行時間二次離子質譜IONTOF 5
應用范圍：當產品表面存在微小的異物，而常規的成分測試方法無法準確對異物進行定性定量分析，可選擇TOF-SIMS.
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