硅探測器硅的探測器的工作波長在0.3-1.0微米
硅探測器
硅的探測器的工作波長在0.3-1.0微米。在室溫的條件下，該產品具有很高的靈敏度，還有一些附件支持，如濾光片
（長波濾光片和帶通濾光片）、前置放大器、光纖連接器。
室溫Si探測器
探測器類型 | 有效直徑 (mm) | 并聯電阻 (MΩ) | 并聯電容 (PF),tpy | 工作波長 (nm) | 光譜響應率 (A/W) | NEP（W/Hz1/2) @800nm,1KHz |
S-010 | 1.0 | 500 | 25 | 300-1000 | 0.55@850nm | <1.0x10-14 |
UVS-010 | 1.0 | 500 | 50 | 200-1000 | 0.55@800nm | <1.0x10-14 |
S-025 | 2.5 | 500 | 400 | 300-1000 | 0.55@850nm | <1.0x10-14 |
UVS-025 | 2.5 | 200 | 300 | 200-1000 | 0.50@800nm | <1.5x10-14 |
S-050 | 5 | 200 | 1500 | 350-1100 | 0.55@850nm | <1.5x10-14@850nm |
UVS-050 | 5 | 50 | 1000 | 200-1100 | 0.50@800nm | <3.0x10-14@700nm |
S-100 | 10 | 10 | 1000 | 350-1100 | 0.50@850nm | <1.0xv@850nm |
UVS-100 | 10 | 50 | 1800 | 200-1000 | 0.50@800nm | <5x10-14@800nm |
S-113 | 11.3 | 200 | 9000 | 300-1100 | 0.55@850nm | <1.5x10-14 |
UVS-113 | 11.3 | 10 | 4000 | 200-1000 | 0.50@800nm | <1.0x10-13 |
二級制冷Si探測器
| 探測器類型 | 工作溫度(℃) | 并聯電阻 (MΩ) | 并聯電容 (PF),tpy | NEP（W/Hz1/2) @800nm | 響應率@850nm (A/W) | 制冷器工作電流(A) |
S-010-TE2 | 22 | 500 | 25 | 0.55 | 0.00 | |
-30 | >1000 | 25 | 0.55 | 0.65 | ||
UVS-010-TE2 | 22 | 500 | 50 | 0.55 | 0.00 | |
-30 | >1000 | 50 | 0.55 | 0.65 | ||
S-025-TE2 | 22 | 100 | 400 | <1.9x10-14 | 0.55 | 0.00 |
-30 | >1000 | 400 | <5x10-15 | 0.55 | 0.65 | |
UVS-025-TE2 | 22 | 200 | 300 | <1.5x10-14 | 0.55 | 0.00 |
-30 | >1000 | 300 | <10-14 | 0.55 | 0.65 | |
S-050-TE2 | 22 | >200 | 1000 | <1.5x10-14 | 0.55 | 0.00 |
-30 | >1000 | 1000 | <10-14 | 0.55 | 0.65 | |
UVS-050-TE2 | 22 | >100 | 1000 | <2x10-14 | 0.55 | 0.00 |
-30 | >1000 | 1000 | <10-14 | 0.55 | 0.65 | |
S-100-TE2 | 22 | 10 | 1000 | <1.0x10-13 | 0.50 | 0.00 |
-30 | 500 | 900 | <1.0x10-14 | 0.50 | 0.70 | |
UVS-100-TE2 | 22 | 50 | 1800 | <5.0x10-14 | 0.50 | 0.00 |
-30 | 1000 | 1600 | <1.0x10-14 | 0.50 | 0.70 |
可應用在工業的控制系統、氣體分析、熱 傳感器以及光纖測試設備。
|
|
*您想獲取產品的資料：
個人信息：
