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【簡單介紹】
【詳細說明】
高分辨率克爾顯微鏡
當一束線偏振光照被磁性介質反射后，反射光的偏振面相對于入射光的偏振面有一個小的角度（克爾旋轉角），這一現象被稱為磁光克爾效應。該效應與顯微成像技術結合組成磁光克爾顯微鏡，被廣泛應用于磁性材料磁性測量，磁疇觀察等。 由于該設備可進行無損探測、靈敏度高、在jiduan環境下原位測量等優點是被越來越多的科研人員采用。
為滿足日益增長的市場需求昊量光電推出了高性價比的磁光克爾顯微鏡。其主要原理是：一束面光源經過起偏器，轉變為線偏振光，照射到樣品上，由于樣品內磁疇的存在使樣品各個區域內磁化強度和方向不同，因此不同區域對線偏振光，偏振面的改變各不相同。因此當反射光通過檢偏器后光斑的強度分布不同，從而得到樣品的磁疇結構。
為了獲得更高的靈敏度，優異的磁疇成像效果等該系統做了以下優化。
1）采用高亮度窄帶LED光源。
盡管理論上磁光克爾效應的對比度可以無限高，但是多個波長偏振像差的組合通常會大大降低偏振的純度。因此傳統的克爾顯微鏡經常報道磁光克爾對比度幾乎觀察不到。一個主要的原因就是因為使用寬譜的照明光源。因為磁光效應引起的克爾旋轉量與光源波長數量成反比，寬譜光源會產生相同寬譜的線偏振，也就是說，光偏振不是的線性，觀察到的磁對比度也會降低。
因此為了克服由于光源帶來的相差，我們經過多組測試，選取了FWHM為50nm的超亮LED光源，可獲得很強的對比度，并且擁有較高的使用壽命。
2）圖像自動校正功能
通常為了獲得較弱磁性材料的對比度，市面上磁疇觀察設備通常會采用圖像差分處理來獲得較高對比度，即使用拍攝到的圖像減去背底圖片。該方法通常可以將信號增強10倍以上。但是由于在施加磁場的過程中樣品的位置會發生偏移，會大大影響差分處理效果，甚至出現錯誤。為了消除樣品的移動，設備會通過快速像素相位算法確定樣品漂移，然后通過促動器實時校正位置。同時該幀位移的圖像在軟件中也會實時修正，校正后的圖像位移量不大于0.2個像素（8nm）
3）特殊設計的電磁鐵
通常磁疇觀察顯微鏡中的電磁鐵設計是一個具有挑戰性的話題，必須要有一些取舍。為了獲得較高的分辨率，因此要使用大倍率的物鏡，放置在靠近樣品的位置。這對電磁鐵強加以一個空間限制，并限制了生產磁場的強度。其次，磁鐵產生的磁通量會通過物鏡，引起法拉第效應，從而降低成像對比度。
我們通過革新的磁通量閉合式設計從而巧妙的解決了這兩個問題。通過對電磁鐵的磁場測量，我們可以發現，磁鐵的磁場提高了4倍，但是通過物鏡的磁場強度卻降低了8倍。產生磁場的均勻性在4mm范圍內也達到了0.5%的水平。
4）高靈敏度，高分辨率成像相機
對于磁光克爾顯微鏡，樣品反射的光通過檢偏器，僅僅只有百分之一的入射光達到相機傳感器。因此對于磁疇成像系統，相機的靈敏度就體現的尤為重要。因此為了達到成像效果，我們選取了再該波段下量子效率高達78%，并且具有20兆像素的背照式相機。從而獲得高分辨率，高信噪比的圖像。
此外該設備不但可以獲得樣品磁疇圖片，還可以根據樣品磁疇圖像同時獲得樣品的分析。
產品參數：
Light source | 2200 Lumens ultrabright LED lamp |
Camera | 6.4 Megapixel @ 60FPS >78% Quantum efficiency |
Resolution | Camera: 40nm Optical: 300nm |
Magnetic Field Perpendicular Option | Flux strength: ±1T Closed-flux design |
Magnetic Field Combined Option | OOP: 0.1T IP: 0.6T |
Electrical Interface | MagVision chip carriers with 10-pin electrical connections Two micropositioners for probing |
可選項：
1. 模塊
非常緊湊
樣品階段厚度僅為7mm
對樣品施加各種磁場
兼容現有標準的面外(OOP)電磁鐵
兼容四極面內面外(IP-OOP)電磁鐵
用四極磁鐵在兩軸同時施加磁場
規格：
溫度范圍:90 - 330K
圖像分辨率:0.7 μm(基于20X物鏡)
開式循環操作
溫度穩定性:+/- 1K
真空級別5e-3mbar
2. IP-OOP電磁鐵選項
同時適用于面內和面外磁場(IP-OOP)，適用于自旋電子學中自旋軌道扭矩和DMI的測量
規格：
面內磁場:600 mT
面外磁場:60 mT
蕞高溫度:100℃
標稱電阻:2.6±0.2 Ω
蕞大瞬時功率:400W
3. 四極磁鐵選項
同時適用于面內和面外磁場(IP-OOP)，適用于自旋電子學中自旋軌道扭矩和DMI的測量
規格：
面內磁場:0.4 T
面外磁場:0.4 T
蕞高溫度:100℃
標稱電阻:2.6±0.2 Ω
蕞大瞬時功率:400W
實例：
1)1nm CoFeB磁性薄膜
2）4種灰度：垂直磁化磁隧道結多級磁疇（4 shades of grey: Multilevel stripe domains on a perpendicularly magnetized magnetic tunnel junction stack）
3）[Pt/Co/Fe/Ir]x2 堆棧手性磁疇（Chiral stripes (ａnd skyrmions)on a [Pt/Co/Fe/Ir]x2 stack）
4）Heusler 合金薄膜中的垂直磁化的磁疇反轉（Domain reversal in a perpendicularly magnetized Heusler alloy thin film）
5）同時施加磁場和電流
6）電流誘導的磁疇遠動的準實時觀測
7）CoFeB多層材料退磁過程的實時觀測
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