世界*薄膜應力測量系統，又名薄膜應力計或薄膜應力儀！MOS美國技術！曾榮獲2008 Innovation of the Year Awardee！ 采用非接觸MOS激光技術；不但可以精確的對樣品表面應力分布進行統計分析，而且還可以進行樣品表面二維應力、曲率成像分析；并且這種設計始終保證所有陣列的激光光點始終在同一頻率運動或掃描，從而有效的避免了外界振動對測試結果的影響；同時大大提高了測試的分

實時原位薄膜應力儀：同樣采用*的MOS技術，可裝在各種真空沉積設備上（如：MBE, MOCVD, sputtering, PLD, PECVD, and annealing chambers ects），對于薄膜生長過程中的應力變化進行實時原位測量和二維成像分析；

技術參數：

薄膜應力測量系統，薄膜應力測試儀，薄膜應力計，薄膜應力儀，Film Stress Tester, Film Stress Measurement System;

1.XY雙向程序控制掃描平臺掃描范圍：200mm；300mm (XY)（可選）；

2.XY雙向掃描速度：zui大20mm/s；

3.XY雙向掃描平臺掃描zui小步進/分辨率：2 μm ；

4.薄膜應力測量范圍：5×10⁵到4×10¹⁰dynes/cm²（或者5×104Pa to 4×109Pa）；

5.薄膜應力測量分辨率：優于0.1MPa;

6.測量精度：優于±0.1%；

7.測量重復性：優于0.1%；

8.平均曲率分辨率：< 2e-5 (1/m) 1-sigma (100km radius) ；

9.平均曲率重復性：<2×10e-5 1/m；

主要特點：

1.程序化控制掃描模式：單點掃描、選定區域、多點線性掃描、全面積掃描；

2.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應力2D成像分析； 
3.測量功能：薄膜應力、翹曲、曲率半徑等；
4.支持變溫熱應力測量功能，溫度范圍-65C to 1000C；
5.薄膜殘余應力測量；