產(chǎn)品用途：
通過不同激光波長在半導體中的吸收距離和微區(qū)光電轉(zhuǎn)換，可以表征
光電子器件及太陽能電池微區(qū)的短路電流分布、表層缺陷、反射率等特性參數(shù)，
并通過橫向掃描形成圖像，以反應各種參數(shù)的平面均勻性，尤其是晶界和位錯分布，
為光電子器件及太陽能電池的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和工藝改進提供參考依據(jù)。

產(chǎn)品用途：

通過不同激光波長在半導體中的吸收距離和微區(qū)光電轉(zhuǎn)換，可以表征

光電子器件及太陽能電池微區(qū)的短路電流分布、表層缺陷、反射率等特性參數(shù)，

并通過橫向掃描形成圖像，以反應各種參數(shù)的平面均勻性，尤其是晶界和位錯分布，

 為光電子器件及太陽能電池的結(jié)構(gòu)優(yōu)化和工藝改進提供參考依據(jù)。

產(chǎn)品指標： 

（1） 樣品尺寸：Max 200×160 mm2，Min 1×1 mm2

（2） 激光波長：532 和 980nm，也可根據(jù)材料的光吸收系數(shù)而自行選配

（3） 激光光斑：50μm/100μm 可選

（4） 測試電流范圍：1 μA–1 mA

（6） 掃描步長：0.05、0.1、0.2、0.5、1、2、4 mm

（7） 掃描速度：15 points/s

（8） 可進行單點或連續(xù)掃描測試