OTF-1200X-S-HPCVD是一款坩堝可爐管內移動（靠步進電機控制）的小型開啟式管式爐。爐管直徑為50mm,設備工作溫度為1200℃。
設備特點：坩堝通過一步進電機控制爐管，按照設定程序移動，同時坩堝后端安裝一熱電偶（隨坩堝儀器移動)，可實時監測樣品的溫度，意味著可通過移動坩堝的位置，在爐體中準確找到實驗所需要的溫度，使得實驗準確度更高，重復性更強。此款設備可用于多種實驗，比如HPCVD（hybrid physical chemical deposition），快速熱蒸發，也可用于水平布里奇曼（Bridgman）法來長晶體。
| 技術參數 | |||
|---|---|---|---|
| 高溫爐部分 | ● 爐體設計為開啟式，以便于更換爐管 ● 工作電源：208 - 240 VAC, 50/60Hz ● 大功率為：2KW ● 工作溫度：1200℃（<1hr) ● 連續工作溫度：1100℃ ● 加熱區長度：200mm ● 恒溫區長度：60mm(+/-1℃ @ 1000 ℃ ) 注：由于測量手段及外部環境的影響，測量結果可能會有偏差，此參數僅供參考不作為該設備的技術指標。您購買產品需要準確的恒溫區數據，請與我公司銷售人員聯系 ● 爐管：高純石英管，尺寸50mm O.D x 44mm I.D x 450mm L)（點擊圖片查看詳細資料） | ||
| 溫度控制系統 | ● 采用PID30段程序化控溫，其控溫精度為+/-1℃ ● 控溫儀表操作視頻 ● 設有過熱和斷偶保護 ● 熱電偶采用K型熱電偶 | ||
| 真空密封 | ● 采用KF結構密封法蘭，硅膠密封圈密封 ● 法蘭上安裝有一機械壓力表 ● 右端法蘭與一個真空不銹鋼波紋管連接（不銹鋼波紋管大伸縮幅度為150mm) ● 真空度：10-2Torr(用機械泵抽）10-5Torr(用分子泵抽） | ||
| 坩堝移動機構&PLC控制 | ● 一個直徑為1/4＂的歐米伽鎧裝熱電偶（K型），通過法蘭伸入到爐管中，并可隨坩堝移動，可實時監測樣品的實際溫度 ● 通過步進電機移動爐管內的坩堝（樣品臺），大行程為100mm，移動精度為1mm ● 通過觸摸屏設定坩堝一定的距離和目標位置，坩堝移動速度為180mm/min(更精確的移動速度，可與本公司聯系定制，需額外收費） ● 可觀察下圖，了解坩堝與熱電偶的安裝方法 | ||
| 大加熱速率和冷卻速率 | 可通過移動樣品到已預加熱的爐體中來得到大的加熱速率，也可將樣品迅速移除高溫的爐體，來得到大的降溫速率 | ||
| 大加熱速率 10℃/sec (150℃ - 250℃); 7℃/sec (250℃ - 350℃); 4℃/sec (350℃ - 500℃); 3℃/sec (500℃ - 550℃); 2℃/sec (550℃ - 650℃); 1℃/sec (650℃ - 800℃); 0.5℃/sec (800℃ - 1000℃); | 大降溫速率 10℃/sec (950℃ - 900℃); 7℃/sec (900℃ - 850℃); 4℃/sec (850℃ - 750℃); 2℃/sec (750℃ - 600℃); 1.5℃/sec (600℃ - 500℃); 1℃/sec (500℃ - 400℃); 0.5℃/sec (400℃ - 300℃); | ||
| 可選配件 | ● 可選購手動擋板閥（圖1） ● 防腐型數顯真空計（圖4） ● 快速連接法蘭，以方便于放置樣品（圖2） ● 多路質量流量計控制的混氣系統，用于CVD和DVD實驗（圖5） | ||
| 尺寸 | |||
| 質保 | 一年質保期，終生維護（不含加熱元件、爐管和密封圈） | ||
| 質量認證 | ● CE 認證 ● 所有電器元件（>24V）都通過 UL / MET / CSA 認證 ● 若客戶出認證費用，本公司保證單臺設備通過德國 TUV 認證或 CAS 認證 | ||
| 使用注意事項： | ● 爐管內氣壓不可高于0.02MPa ● 由于氣瓶內部氣壓較高，所以向爐管內通入氣體時，氣瓶上必須安裝減壓閥，建議在本公司選購減壓閥，本公司減壓閥量程為0.01MPa-0.1MPa,使用時會更加精確安全 ● 當爐體溫度高于1000℃時，爐管內不可處于真空狀態，爐管內的氣壓需和大氣壓相當，保持在常壓狀態 ● 進入爐管的氣體流量需小于200SCCM，以避免冷的大氣流對加熱石英管的沖擊 ● 石英管的長時間使用溫度＜1100℃ ● 對于樣品加熱的實驗，不建議關閉爐管法蘭端的抽氣閥和進氣閥使用。若需要關閉氣閥對樣品加熱，則需時刻關注壓力表的示數，若氣壓表示數大于0.02MPa，必須立刻打開泄氣閥，以防意外發生（如爐 管破裂，法蘭飛出等） | ||
| 應用 | ● 此款設備可用于多種實驗，以下列出了幾種實驗方法 ● RTE（快速熱蒸發）：蒸發料放在坩堝中，放入到爐體中心，基片放在樣品臺上，樣品臺與熱電偶相連接，然后將樣品臺移動到理想的位置（此位置溫度是實驗所需要的溫度） ● HPCVD（混合物理化學沉積）：與RTE相似，但需配混氣系統，對反應氣體混合并控制流量，同時也需設定蒸發料的位置（確定蒸發料的蒸發溫度） ● 水平布里奇曼（Bridgman）法來長晶體：將樣品和籽晶放入到坩堝中，并將坩堝放入到爐體中心位置，然后設定坩堝移動速度，慢慢移動坩堝 | ||
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