DE500 Magnetron Sputter with sputtering chamber of four 

sputter sources and one sample stage for loading the substrate

 up to 6” diameter, the sputter chamber base vacuum pressure

 is10ˉ8 Torr, it can be used to sputter metals, semiconductor 

or insulation materials, it also can sputter alloy film or multi 

layer film, especially it can be used to sputter very thin

 film for some typical materials base on the very low sputter 

pressure, this is the ideal tools 

for thin film R&D for the university and academy.

概述和應(yīng)用

DE500磁控濺射儀主要包括濺射腔體，4個(gè)濺射源和一個(gè)樣品臺(tái)可裝載并濺射zui大六英寸樣品，系統(tǒng)極限真空度10-8托，可用于

濺射金屬、半導(dǎo)體及介質(zhì)材料，可用于濺射合金及多層薄膜材料，特別的是可以維持很低的濺射氣壓因此可以濺射非常薄的膜層，

是大專院校和科研院所從事材料和薄膜研究的理想平臺(tái)

Magnetron Sputter Chamber

濺射真空腔室

D shape, 304 stainless steel chamber with viewport

磁控濺射腔體為304不銹鋼，并有觀察窗

Vacuum Pumping

真空泵

Turbo pump and dry rough pump with sputter chamber

濺射室配備分子泵和無(wú)油機(jī)械泵

Vacuum Valve

真空閥門

Pneumatic operation high vacuum and isolation gate valves

氣動(dòng)控制高真空和隔離插板閥門

Chamber Vent Valve, Rough and Foreline angle valve, and gas valve

腔體充氣閥門，粗抽和前級(jí)角閥，氣體截止閥

Sputtering Sources

濺射源

Four 4” circle magnetron sputtering sources

4個(gè)4英寸圓形磁控濺射源

Each source with Pneumatic shutter

每個(gè)源配備手動(dòng)擋板

The power supply can be DC, pulse DC or RF power supply

電源可以配備直流，脈沖直流或射頻電源

Sample Stage 

樣品臺(tái)

Substrate linear motion, rotating, and the sample heating or water cooling, 

Up to 6” substrate with Pneumatic substrate shutte

樣品臺(tái)直線升降和旋轉(zhuǎn)，樣品可加熱或冷卻，zui大6英寸基片裝載能力，配氣動(dòng)樣品擋板

Vacuum Gauging

真空測(cè)量

Wide range vacuum gauge and Pirani rough gauge

寬量程真空計(jì)用于測(cè)量真空和皮拉尼粗抽計(jì)

Pressure Control

壓力控制

Three Mass flow controller

三路流量計(jì)

Capacitance manometer for sputter process pressure control

一個(gè)壓力計(jì)實(shí)現(xiàn)濺射壓力控制

Cooled Water Interlock

冷水安全互鎖

There are cooled water flow sensors of interlock to protect sputter sources work properly

濺射源冷卻水路配水流傳感器對(duì)濺射源安全互鎖保護(hù)

Load Lock

Option

O2 reactive, RF plasma cleaning, single or multi substrate loading

可選,

通氧反應(yīng)，射頻等離子體清洗, 單基片或多基片裝載能力

Sputter Chamber Size

磁控濺射腔體尺寸

450mm wide x 430mm deep x 450mm high

450mm寬430mm深450mm高

The Base Vacuum Pressure in Sputter Chamber

濺射腔體極限真空度

better than 5E-8 Torr

優(yōu)于5E-8托

Sample Loading Capacity

裝樣能力

Max. 6 inch flat substrate

zui大6英寸的平板基片

The Max. Temperature of the Sample Heater

樣品加熱器zui高溫度

1000C

1000度

The film uniformity

膜厚均勻性

better than +/-3% over a rotating 4 inch Silicon wafer

在旋轉(zhuǎn)的4英寸硅基片上的膜厚均勻性由于+/-3%

General Sputtering Pressure

通用濺射壓力

1-5 mTorr

1至5毫托