碲化鉍晶體 Bi2Te3（Bismuth luride） 晶體結構：六邊形晶體尺寸：~10毫米電氣性能：拓撲絕緣體的晶體結構：六邊形晶胞參數：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90#176;, γ = 120#176;晶體類型：合成晶體純度：＞99.995%

碲化鉍晶體 Bi2Te3(Bismuth luride) 
晶體結構：六邊形晶體尺寸：~10毫米
電氣性能：拓撲絕緣體的
晶體結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

碲化鉍晶體 Bi2Te3(Bismuth luride) 
晶體結構：六邊形晶體尺寸：~10毫米
電氣性能：拓撲絕緣體的
晶體結構：六邊形
晶胞參數：a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°
晶體類型：合成
晶體純度：＞99.995%

XRD of a single crystal Bi2Te3. X-ray diffraction was performed at room temperature using a D8 Venture Bruker.

EDX of a single crystal Bi2Te3.