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離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
美國 KRI 考夫曼離子源 Gridded KDC 系列
上海伯東美國 考夫曼離子源 KDC 系列, 加熱燈絲產生電子, 是典型的考夫曼型離子源, 增強設計輸出高質量, 穩(wěn)定的電子流.
美國 KRI 考夫曼公司新升級 Gridded KDC 系列離子源, 新的特性包含自對準離子光學和開關式電源控制. 考夫曼離子源 KDC 系列包含多種不同尺寸的離子源滿足各類應用. 考夫曼離子源 KDC 提供一套完整的方案包含考夫曼離子源, 電子中和器, 電源供應器等等可以直接整合在各類真空設備中, 例如實驗室小型研發(fā), 鍍膜機, load lock, 濺射系統(tǒng), 卷繞鍍膜機和線性鍍膜.
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 特性：
通過加熱燈絲產生電子
低電流高能量寬束型離子源
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 應用：
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性, 激活 SM
沉積 DD
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
美國 KRI 考夫曼離子源 KDC 技術參數(shù)：
型號 | KDC 10 | KDC 40 | KDC 75 | KDC 100 | KDC 160 |
Discharge 陽極 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 | DC 電流 |
離子束流 | >10 mA | >100 mA | >250 mA | >400 mA | >650 mA |
離子動能 | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V | 100-1200 V |
柵極直徑 | 1 cm Φ | 4 cm Φ | 7.5 cm Φ | 12 cm Φ | 16 cm Φ |
離子束 | 聚焦, 平行, 散射 | ||||
流量 | 1-5 sccm | 2-10 sccm | 2-15 sccm | 2-20 sccm | 2-30 sccm |
通氣 | Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他 | ||||
典型壓力 | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr | < 0.5m Torr |
長度 | 11.5 cm | 17.1 cm | 20.1 cm | 23.5 cm | 25.2 cm |
直徑 | 4 cm | 9 cm | 14 cm | 19.4 cm | 23.2 cm |
中和器 | 燈絲 | ||||
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項 . 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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