女人被暴躁C到高潮容易怀孕吗_国产成人精品一区二区三区视频_国产欧美日韩_德国FREE性VIDEO极品


免費注冊快速求購


分享
舉報 評價

伯東公司供應(yīng) KRI 霍爾離子源 eH 系列

參考價面議
具體成交價以合同協(xié)議為準

該廠商其他產(chǎn)品

我也要出現(xiàn)在這里

霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應(yīng)器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設(shè)備中, 例如鍍膜機, load lock, 濺射系統(tǒng), 卷繞鍍膜機等

詳細信息 在線詢價


KRI 霍爾離子源 eH 系列

美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH 系列
美國 KRI 霍爾離子源 eH 系列緊湊設(shè)計, 高電流低能量寬束型離子源, 提供原子等級的細微加工能力, 霍爾離子源 eH 可以有效地以納米精度來處理薄膜及表面, 多種型號滿足科研及工業(yè), 半導(dǎo)體應(yīng)用. 霍爾離子源高電流提高鍍膜沉積速率, 低能量減少離子轟擊損傷表面, 寬束設(shè)計有效提高吞吐量和覆蓋沉積區(qū). 整體易操作, 易維護. 霍爾離子源 eH 提供一套完整的方案包含離子源, 電子中和器, 電源供應(yīng)器, 流量控制器 MFC 等等可以直接整合在各類真空設(shè)備中, 例如鍍膜機, load lock, 濺射系統(tǒng), 卷繞鍍膜機等.
霍爾離子源

美國 KRI 霍爾離子源 eH 特性
無柵極
電流低能量
發(fā)散光束 >45
可快速更換陽極模塊
可選 Cathode / Neutralize 中和器

美國 KRI 霍爾離子源 eH 主要應(yīng)用
輔助鍍膜 IBAD
濺鍍&蒸鍍 PC
表面改性、激活 SM
沉積 (DD)
離子蝕刻 LIBE
光學(xué)鍍膜
Biased target ion beam sputter deposition (BTIBSD)
Ion Beam Modification of Material Properties (IBM)

例如
1. 離子輔助鍍膜及電子槍蒸鍍
2. 線上式磁控濺射及蒸鍍設(shè)備預(yù)清洗
3. 表面處理
4. 表面硬化層鍍膜
5. 磁控濺射輔助鍍膜
7. 偏壓離子束磁控濺射鍍膜

美國 KRI 霍爾離子源 Gridless eH

霍爾離子源 eH 系列在售型號:

型號

eH400

eH1000

eH2000

eH3000

eH Linear

中和器

F or HC

F or HC

F or HC

F or HC

F

陽極電壓

50-300 V

50-300 V

50-300 V

50-250 V

50-300 V

離子束流

5A

10A

10A

20A

根據(jù)實際應(yīng)用

散射角度

>45

>45

>45

>45

>45

氣體流量

2-25 sccm

2-50 sccm

2-75 sccm

5-100 sccm

根據(jù)實際應(yīng)用

本體高度

3.0“

4.0“

4.0“

6.0“

根據(jù)實際應(yīng)用

直徑

3.7“

5.7“

5.7“

9.7“

根據(jù)實際應(yīng)用

水冷

可選

可選

是

可選

根據(jù)實際應(yīng)用

F = Filament; HC = Hollow Cathode; xO2 = Optimized for O2 current

1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.

若您需要進一步的了解詳細產(chǎn)品信息或討論 , 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式 :

上海伯東 : 羅先生                               中國臺灣伯東 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 e



同類產(chǎn)品推薦


提示

×

*您想獲取產(chǎn)品的資料：

以上可多選，勾選其他，可自行輸入要求

個人信息：