上海伯東代理的磁控共濺鍍腔提供了準(zhǔn)確控制多個磁控濺鍍的制程條件, 加裝美國 KRi 離子源為客戶提供更好質(zhì)量的復(fù)合式薄膜.單片和多片式的loading chamber, 可節(jié)省其制程腔體的抽氣時間, 進(jìn)而節(jié)省整體實(shí)驗(yàn)時間. 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽能電池等行業(yè)以及氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
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磁控共濺鍍設(shè)備 Co-Sputter
磁控共濺鍍是指同時有兩個或多個磁控濺鍍槍, 濺鍍于被鍍物上. 磁控共濺鍍主要用于復(fù)合金屬或復(fù)合材料, 通過分別優(yōu)化每一支磁控濺鍍槍 (靶材) 的功率來控制薄膜質(zhì)量, 其薄膜厚度取決于濺鍍時間.
上海伯東代理的磁控共濺鍍腔提供了準(zhǔn)確控制多個磁控濺鍍的制程條件, 加裝美國 KRi 離子源為客戶提供更好質(zhì)量的復(fù)合式薄膜.單片和多片式的loading chamber, 可節(jié)省其制程腔體的抽氣時間, 進(jìn)而節(jié)省整體實(shí)驗(yàn)時間. 廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體, 納米科技, 太陽能電池等行業(yè)以及氧化物, 氮化物和金屬材料的研究等.
上海伯東磁控共濺鍍設(shè)備配置和優(yōu)點(diǎn)
客制化基板尺寸, zui大直徑可達(dá) 12寸晶圓
薄膜均勻度小于 ±3％
磁控濺鍍源 (最多8個源), 具有多種可選的靶材尺寸
具有順序操作或共沉積的多個濺鍍源
射頻, 直流或脈沖直流, 分別用于非導(dǎo)電與導(dǎo)電靶材
精準(zhǔn)流量控制器（最多4條氣體管線）
基板可加熱到 1000°C
基材到靶材之間距為可調(diào)節(jié)的
每個濺鍍源和基板均安裝遮板
| 濺鍍腔中, 在載臺部分可獨(dú)立施打偏壓, 對其基板進(jìn)行清潔與增加材料的附著性等功能.
安裝美國 KRi 離子源: 上海伯東代理美國 KRi 離子源可用于基板清潔和加速鍍膜材料的濺射速率, 并且離子源在材料沉積過程中可幫助沉積并使沉積后的薄膜更為致密. | 
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磁控濺鍍設(shè)備基本參數(shù)
系統(tǒng)類型 | Real 超高真空 | 超高真空 | 高真空 | 緊湊型高真空 |
極限真空 | 5X10-10 Torr | 5X10-9 Torr | 3X10-7 Torr | 5X10-7 Torr |
腔室密封 | 全部 CF(烘烤) | 一些密封圈(烘烤) | 全部密封圈 | 全部密封圈 |
電子槍 | 3-4, 2-3 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-4 英寸 | 3-4, 2-3 英寸 |
電源 | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF | DC / DC pulse / RF |
Load-lock | 標(biāo)準(zhǔn)(HV) | 標(biāo)準(zhǔn)(HV) | 標(biāo)準(zhǔn)(HV)/可選 | 標(biāo)準(zhǔn)(HV)/可選 |
基板 | 4-6 英寸
加熱至 800°C或水冷 | 4-8 英寸
加熱至 800°C或水冷 | 4-8 英寸
加熱至 800°C | 4-6 英寸
加熱至 800°C |
真空泵 | 低溫泵 | 低溫泵 / 分子泵 | 分子泵 | 分子泵 |
監(jiān)控 | 真空規(guī)和Baratron | 真空規(guī)和Baratron | 真空規(guī)和Baratron | 真空規(guī)和Baratron |
工藝控制 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 | 部分 / 3位 /手動閘閥 |
氣體 | 氬氣, 氮?dú)? 氧氣(load-lock可選) | 氬氣, 氮?dú)? 氧氣(load-lock可選) | 氬氣, 氮?dú)? 氧氣 | 氬氣, 氮?dú)? 氧氣 |
射頻偏壓清潔 | 300W RF(清潔和蝕刻) | 300W RF(清潔和蝕刻) | 可選 | 可選 |
離子源 | 100 KRi 離子源 | 100 KRi 離子源 | 可選 | 可選 |
薄膜 | 鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等 | 鈦氮化鈮NbTiN, 鈮 Nb, 鈀Pd等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等 | 二氧化硅 SiO2, 氮化硅 Si3N4, 氧化鋁Al2O3 等 |
腔體
客制化的腔體尺寸取決于基板尺寸和其應(yīng)用
寬大的前開式門, 并有兩個窗口和窗口遮版, 用于觀察基材和濺鍍源
具有顯示功能的全量程真空計(jì)和用于壓力控制的 Baratron 真空計(jì)
腔體的極限真空度約 10-8 Torr
選件
可以與傳送腔, 機(jī)械手臂和手套箱整合在一起
結(jié)合離子源, 熱蒸發(fā)源, 電子束...等等
基板射頻或直流偏壓
膜厚監(jiān)測儀
射頻等離子清潔用于基材
OES, RGA 或制程監(jiān)控的額外備用端口
應(yīng)用領(lǐng)域
半導(dǎo)體類, 納米科技
產(chǎn)品質(zhì)量控制和質(zhì)量檢查
氧化物, 氮化物和金屬材料的研究
太陽能電池
光學(xué)研究, 材料研究
若您需要進(jìn)一步的了解上海伯東磁控共濺鍍設(shè)備, 請參考以下聯(lián)絡(luò)方式
上海伯東: 羅先生
