蔡司FIB雙束掃描電鏡Crossbeam 350結合了高分辨率場發射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優異加工能力。
蔡司雙束掃描電鏡Crossbeam 350結合了高分辨率場發射掃描電鏡（FE-SEM）的出色成像和分析性能，以及新一代聚焦離子束（FIB）的優異加工能力。無論是用于多用戶實驗平臺，還是科研或工業實驗室， 利用Crossbeam系列模塊化的平臺設計理念，您可基于自身需求隨時升級儀器系統（例如使用LaserFIB進行大規模材料加工）。在加工、成像或是實現三維重構分析時，Crossbeam 350將大大提升您的聚焦離子束（FIB）應用效率。
使您的掃描電鏡（SEM）具備強大的洞察力
提升您的聚集離子束（FIB）樣品制備效率
在您的雙束掃描電鏡（FIB-SEM）分析中體驗出色的三維空間分辨率
通過樣品臺減速技術（Tandem decel，新型蔡司Gemini電子光學系統的一項功能）實現低電壓電子束分辨率提升高達30%。
使用Gemini電子光學系統，您可以從高分辨率掃描電鏡（SEM）圖像中獲取真實的樣品信息。
在進行高度靈敏表面二維成像或三維斷層成像時，您可以信賴蔡司雙束電鏡Crossbeam系列的性能。
即使在使用非常低的加速電壓時也可獲得高分辨率、高對比度和高信噪比的清晰圖像。
借助一系列的探測器實現樣品的表征；使用的Inlens EsB探測器獲得更純的材料成分襯度。
使用低電壓表征不導電樣品，消除荷電效應的影響。
得益于智能聚焦離子束（FIB）的掃描策略，移除材料相比以往實驗快40%以上。
鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor采用了全新的加工方式：盡可能減少樣品損傷，提升樣品質量，從而加快實驗進程。
使用高達100 nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，并保持高分辨率。
制備TEM樣品時，請使用鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor的低電壓功能：獲得超薄樣品的同時，盡可能降低非晶化損傷。
體驗整合的三維能譜和EBSD分析所帶來的優勢。
在切割、成像或執行三維分析時，Crossbeam系列將提升您的FIB應用效率。
使用*的快速精準三維成像及分析軟硬件包——Altas 5來擴展您的Crossbeam性能。
使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像過程中進行EDS和EBSD分析。
雙束電鏡的斷層成像可獲得優異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸；使用Inlens EsB探測器探測小于3 nm的深度，可獲得極表面的材料成分襯度圖像。
在加工過程中收集連續切片圖像以節省時間；精確的體素尺寸和自動流程保證圖像質量。
利用低真空操作，使用可變壓力模式對含有氣體或帶電的樣品進行原位實驗。通過的Gemini電子光學系統和鎵離子FIB鏡筒Ion-sculptor，實現高質量成像。
為您進行要求苛刻的材料表征并選擇適合您的樣品尺寸——標準尺寸或大尺寸。Gemini 2電子光學系統即使在低電壓和高束流條件下亦可提供高分辨率。如需在高束流條件下獲得高分辨率圖像以及進行快速分析，這無疑是您的理想之選。
用于切割大量材料和制備大樣品的儀器——交換艙內的飛秒激光助力原位研究，避免了艙室污染，并可配置于Crossbeam 350和550，快速找到深埋結構的入口以及制備要求苛刻的結構（如原子探針樣品）。
這種用于在冷凍條件下進行TEM薄片制備和體積成像的解決方案能夠實現接近原生狀態的成像。關聯寬場顯微鏡、激光共聚焦顯微鏡和雙束電鏡， 同時保持多功能雙束電鏡的靈活性。
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