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B-M-1030 砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡

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砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors如果需要尺寸僅為幾毫米的非常小的高反射鏡,選用在GaAs芯片上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡是比較合適的。
作為襯底的單晶GaAs砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55W /(m * K)的良好導熱率。它可以被切成小的方塊或矩形芯片。

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砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors

如果需要尺寸僅為幾毫米的非常小的高反射鏡,選用在GaAs芯片上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡是比較合適的。
作為襯底的單晶GaAs砷化鎵晶片具有非常光滑的表面和55W /(m * K)的良好導熱率。它可以被切成小的方塊或矩形芯片。
我們提供未安裝的布拉格反射鏡,標準基板厚度為450um。

可用芯片尺寸:
• 4.0mmx 4.0mm
• 2.0mm×2.0mm
1.3mm×1.3mm
可根據要求定制尺寸



1030nm 砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GAAs Bragg mirrors


BM-1030nm-4x4 BM-1030nm-2x2
BM-1030nm-1.3x1.3 
•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
•中心波長λ= 1030 nm 
•芯片面積:4 mm x 4 mm 
•芯片厚度:450μm 
•  Data sheet (pdf)
•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
•中心波長λ= 1030 nm 
•芯片面積:2 mm x 2 mm 
•芯片厚度:450μm 
• Data sheet (pdf)
•GaAs上的單晶AlAs / GaAs布拉格反射鏡
•中心波長λ= 1030 nm 
•芯片面積:1.3 mm x 1.3 mm 
•芯片厚度:450μm 

• Data sheet (pdf)








砷化鋁/砷化鎵布拉格反射鏡AlAs/GaAs Bragg mirrors


上海屹持光電技術有限公司

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