儀器簡介：

半導體激光器半導體材料作為工作物質的一類激光器，由于物質結構上的差異，產生激光器具體過程比較特殊，常用材料有砷化鎵、硫化鎘、磷化銦、硫化鋅等；激勵的方式有電注入，電子束激勵和光泵浦三種形式；廣泛應用于激光通訊，印制制版、光信息等方面。

實驗內容：

1、測試半導體激光器的的閾值電流

2、觀察半導體激光器的調制特性曲線

3、測量半導體工作時的功率、電壓、電流、畫出P-V/P-I/I-V曲線，了解半導體的工作特性

4、學會通過曲線計算半導體激光器的閾值，以及功率效率，外量子效率和外分子效率，并對三者相比較

5、觀察截至區、線性區、限流區的型號不同凡響，了解調制工作原理

主要配置和參數：

1、激光器：半導體激光器，20mW

2、功率計：測量范圍：200μw—200mw，3位半數顯，光敏面積：1cm2

3、電壓表：測量范圍，200mV，2V，20V，200V；四擋自由切換；三位半數顯

4、電流表：精度0.2%，四擋自由可調；200μA，2mA，20mA，200mA；三位半數顯

5、接收器：硅光電池：范圍400—1050mm

6、波形發生器：三種波形：正玄波、方波、三角波。

7、閾值電流：室溫下同質結的閾值電流大于30000A/cm2；單異質結約為8000A/cm2；雙異質結約為1600A/cm2。現在已用雙異質結制成在室溫下能連續輸出幾十毫瓦的半導體激光器。

8、光譜特性：GaAs激光器，室溫下譜線寬度約為幾納米，可見其單色性較差。輸出激光的峰值波長：77K時為840nm；300K時為902nm