日本電子場發(fā)射掃描電鏡JSM-7200F
JSM-7200F的主要特點有:應(yīng)用了浸沒式肖特基電子槍技術(shù)的電子光學(xué)系統(tǒng);
利用GB(Gentle Beam 模式)和各種檢測 器在低加速電壓下能進(jìn)行高分辨觀
察和選擇信號的TTLS系統(tǒng)(Through-The-Lens System);電磁場疊加的混
合式物鏡。
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JSM-7200F的主要特點有:應(yīng)用了浸沒式肖特基電子槍技術(shù)的電子光學(xué)系統(tǒng);
利用GB(Gentle Beam 模式)和各種檢測 器在低加速電壓下能進(jìn)行高分辨觀
察和選擇信號的TTLS系統(tǒng)(Through-The-Lens System);電磁場疊加的混
合式物鏡。
浸沒式肖特基場發(fā)射電子槍為日本電子的技術(shù),通過對電子槍和低像差聚光鏡進(jìn)行優(yōu)化,能有 效利用從電子槍中發(fā)射的電子,即使電子束流很大也能獲得很細(xì)的束斑。因而可以實現(xiàn)高通量分析(EDS、WDS面分析、EBSD分析等)。
TTLS(through-the-lens系統(tǒng))是利用GB(Gentle Beam 模式)在低加速電壓下能進(jìn)行高
分辨率觀察和信號選擇的系統(tǒng)。 利用GB(Gentle Beam 模式)通過給樣品加以偏壓,對入
射電子有減速、對樣品中發(fā)射出的電子有加速作用,即使在低加速電壓(入射電壓)下,也
能獲得信噪比良好的高分辨率圖像。
此外,利用安裝在TTLS的能 量過濾器過濾電壓,可以調(diào)節(jié)二次電子的檢測量。這樣在極低加
速電壓的條件下,用高位檢測 器(UED)就可以只獲取來自樣品淺表面的大角度背散射電子。
因過濾電壓用UED沒有檢測出的低能 量電子,可以用高位二次電子檢測 器(USD,選配件)檢
測出來,因此JSM-7200F能同時獲取二次電子像和背散射電子像。
JSM-7200F的物鏡采用了日本電子新開發(fā)的混合式透鏡。
這種混合式透鏡是組合了磁透鏡和靜電透鏡的電磁場疊加型物鏡,比傳統(tǒng)的out-lens像差小,能獲得更高的空間分辨率。 JSM-7200F仍然保持了out-lens的易用性,所以可以觀察和分析磁性材料樣品。
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