型號單位GEM-40-1-10
型號 單位 GEM-40-1-10.6 基板 - Germanium 波長 nm 10600 中心頻率 MHz 40 有效孔徑 mm 3 x 10 上升沿 ns 340 數字調制帶寬 MHz 1.6 光傳輸 % ~85 效率 %
40~50 @10600 nm
消光比 - >1000:1 波前畸變 - λ/10 聲波速度 m/s 5.5E+3 輸入阻抗 ohms 50 V.S.W.R - 2:1 光偏振 - Linear 射頻連接器 - SMA
| 型號 | 單位 | TEM-200-50-1500 |
| 基板 | - | TeO2 |
| 波長 | nm | 1500 |
| 中心頻率 | MHz | 200 |
| 射頻帶寬 | MHz | 60 |
| 有效孔徑 | mm | 0.1 x 2 |
| 晶體內束直徑 | mm | 0.055 |
| 上升時間 | ns | 11 |
| 光損傷閾值 | W/mm2 | 100 (With High Power AR coating covering 1200-1550nm) |
| 調制帶寬 | MHz | 50 |
| 光透過率 | % | >98 |
| 消光比 | >1000:1 |
| 型號 | 單位 | TEM-400-100-980 |
| 基板 | - | TeO2 |
| 波長 | nm | 980 |
| 中心頻率 | MHz | 400 |
| 有效孔徑 | mm | 0.075 |
| 上升沿 | ns | 5.5 |
| 數字調制帶寬 | MHz | 100 |
| 光傳輸 | % | >95 |
| 消光比 | - | >1000:1 |
| 波前畸變 | - | λ/10 |
| 聲波速度 | m/s | 4.20E+03 |
| 輸入阻抗 | ohms | 50 |
| V.S.W.R | - | 2:01 |
| 光偏振 | - | Linear |
| 射頻連接器 | - | SMA |
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