10us浪涌電流測試儀/設備/系統，可測試二極管，MOS，IGBT，以及SIC器件浪涌電流能力，可輸出底寬10ms，8.3ms，1ms，10us等正弦半波或方波，浪涌電流根據具體需求可選擇800A,1200A,3000A以及定制8000A以上，電流可達50kA;

10us浪涌電流測試儀/設備/系統是指電源線接通瞬間或是在電路出現異常情況下產生的遠大于穩態電流的峰值電流或過載電流。

半導體器件在工作時，有時要承受較大的沖擊電流，器件的用途不同，要求器件能承受浪涌電流的能力也不同，為了檢測器件承受浪涌電流的能力，可產生一個大的浪涌電流施加于被測器件上，從而檢測被測器件是否能承受大浪涌電流的沖擊。

10us浪涌電流測試儀/設備/系統的測試方法符合JB/T7626-2013中的相關標準。浪涌電流試驗臺，是二極管等相關半導體器件測試的重要檢測設備，該設備具有如下特點：

1、該試驗臺是一套大電流、高電壓的測試設備，對設備的電氣性能要求高。

2、該試驗臺的測試控制采用自動控制，測試可按測試員設定的程序進行自動測試。

3、該試驗臺采用計算機記錄測試結果，并可將測試結果轉化為EXCEL文件進行處理。

4、該套測試設備主要由以下幾個單元組成：

   a、浪涌測試單元

   b、阻斷參數測試單元

   c、計算機控制系統

二、技術條件

2.1 環境要求：

1、環境溫度：15—40℃

2、相對濕度：存放濕度不大于80%

3、大氣壓力：86Kpa—106Kpa

4、海拔高度：1000米以下

5、電網電壓：AC220V±10%無嚴重諧波

6、電網頻率：50Hz±1Hz

7、電源功率：小于1.5KW

8、供電電網功率因數：＞0.9

2.2主要技術指標：

1、浪涌電流（ITSM/IFSM）測試范圍：30～1200A；選配3000A,8000A,20kA,50kA等

2、浪涌電流（ITSM/IFSM）精度要求：顯示分辨率1A精度±3%

  浪涌電流（ITSM/IFSM）波形：近似正弦半波；

3、浪涌電流底寬：8.3和10ms；選配1ms,10us等

4、測試頻率：單次；重復

5、反向電壓（VRRM）測試范圍：200～2000V；

6、反向電壓（VRRM）顯示分辨率10V，精度±3%；

7、反向電壓頻率：DC直流

8、各種模塊均手動連接，并以單管形式測試。

9、采用計算機控制、采樣及顯示；