蔡司Crossbeam系列
輕松發(fā)現(xiàn)和設(shè)計(jì)材料
蔡司Crossbeam系列的FIB-SEM結(jié)合了場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡（FE-SEM）出色的成像和分析性能，和新一代聚焦離子束（FIB）優(yōu)異的加工性能。無(wú)論是在科研或是工業(yè)實(shí)驗(yàn)室，您都可以在一臺(tái)設(shè)備上實(shí)現(xiàn)多用戶同時(shí)操作。得益于蔡司Crossbeam系列模塊化的平臺(tái)設(shè)計(jì)理念，您可以根據(jù)自己需求的變化隨時(shí)升級(jí)儀器系統(tǒng)。在加工、成像或是實(shí)現(xiàn)三維重構(gòu)分析時(shí)，Crosssbeam系列都將大大提升您的應(yīng)用體驗(yàn)。
√ 使用Gemini電子光學(xué)系統(tǒng)，您可以從高分辨率SEM圖像中提取真實(shí)樣本信息
√ 使用新的Ion-sculptor FIB鏡筒以及全新的樣品處理方式，您可以大限度地提高樣品質(zhì)量、降低樣品損傷，同時(shí)大大加快實(shí)驗(yàn)操作過(guò)程
√ 使用Ion-sculptor FIB的低電壓功能，您可以制備超薄的TEM樣品，同時(shí)將非晶化損傷降到非常低
√ 使用Crossbeam 350的可變氣壓功能
√ 或使用Crossbeam 550實(shí)現(xiàn)更苛刻的表征，大倉(cāng)室甚至為您提供更多選擇
優(yōu)勢(shì)
將SEM的探測(cè)能力發(fā)揮到更好
低電壓電子束分辨率提升高達(dá)30%
SEM 性能
√ 無(wú)論是二維表面成像或三維重構(gòu)，蔡司Crossbeam的掃描電子束均可提供優(yōu)異的表現(xiàn)
√ 即使在低加速電壓下，也可以獲得高分辨率、高襯度、高信噪比
√ 可通過(guò)一系列的探測(cè)器表征您的樣品。的Inlens EsB探測(cè)器，可獲取純的材料成分襯度信息
√ 表征不導(dǎo)電樣品可以不受荷電效應(yīng)的影響
蔡司Crossbeam的聚焦離子束鏡筒
提高您的FIB樣品的測(cè)試加工效率
通過(guò)FIB智能的刻蝕策略，其材料移除速率可提升高達(dá)40%
Ion-sculptor FIB
√ 采用新的鎵離子FIB鏡筒——Ion-sculptor來(lái)實(shí)現(xiàn)全新的FIB加工方式
√ 獲得高質(zhì)量的樣品，最小化FIB導(dǎo)致的樣品損傷，同時(shí)加快實(shí)驗(yàn)操作過(guò)程
√ 使用高達(dá)100nA的離子束束流，高效而精確地處理樣品，并保持高分辨率
√ 得益于智能的FIB掃描策略，移除材料相比以往實(shí)驗(yàn)將快40%以上
蔡司Crossbeam的三維能譜分析
在FIB-SEM分析中體驗(yàn)優(yōu)異的三維空間分辨率
體驗(yàn)整合的三維能譜和EBSD分析所帶來(lái)的優(yōu)勢(shì)
三維重構(gòu)分析
√ 可使用蔡司Atlas 5軟件擴(kuò)展您的Crossbeam，它是一個(gè)針對(duì)快速而準(zhǔn)確的三維斷層成像的軟硬件包。
√ 使用Atlas 5中集成的三維分析模塊可在三維斷層成像的過(guò)程中進(jìn)行EDS和EBSD分析
√ FIB-SEM的斷層成像可獲得優(yōu)異的三維空間分辨率和各向同性的三維體素尺寸。使用Inlens EsB探測(cè)器，探測(cè)深度小于3nm，可獲得極表面的、材料成分襯度圖像
√ 減薄的過(guò)程中收集連續(xù)切片圖像以節(jié)省時(shí)間，精確的體素尺寸和自動(dòng)工作流程保證圖像質(zhì)量
