1）GB/T 10590-2006 高低溫/低氣壓試驗(yàn)箱技術(shù)條件；
2）GB/T 10589-2008 低溫濕熱箱技術(shù)條件；
3）GB/T 11158-2008 高溫試驗(yàn)箱技術(shù)條件；
4）GB/T 2423.1-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)A：低溫 （IEC 60068-2-1:2007, IDT）；
5）GB/T 2423.2-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)B：高溫 （IEC 60068-2-2:2007, IDT）；
6）GB/T 2423.21-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)M：低氣壓 （IEC 60068-2-13:1983, IDT）；
7）GB/T 2423.22-2012 環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)N：溫度變化 （IEC 60068-2-14:2009, IDT）；
8）GB/T 2423.25-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/AM：低溫/低氣壓綜合試驗(yàn) （IEC 68-2-40:1976, IDT）；
9）GB/T 2423.26-2008 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn) 第2部分：試驗(yàn)方法 試驗(yàn)Z/BM：高溫/低氣壓綜合試驗(yàn) （IEC 68-2-41:1976, IDT）；
10）GJB 150.2A-2009 裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第2部分：低氣壓(高度)試驗(yàn)；
11）GJB 150.3A-2009 裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第3部分：高溫試驗(yàn)；
12）GJB 150.4A-2009 裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第4部分：低溫試驗(yàn)；
13）GJB 150.6A-2009 裝備實(shí)驗(yàn)室環(huán)境試驗(yàn)方法 第6部分：溫度高度試驗(yàn)。
