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SOI硅基單片集成 7bit 可調光延時器芯片

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SOI硅基單片集成 7bit 可調光延時器芯片、將硅基光開關和硅波導延時回路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到1μs以下,硅波導延時使其延時精度提升1個量級,厚膜SOI硅光技術使其光損耗達到工程應用水平,單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。

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SOI硅基單片集成 7bit 可調光延時器芯片

SOI硅基單片集成 7bit 可調光延時器芯片、將硅基光開關和硅波導延時回路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到1μs以下,硅波導延時使其延時精度提升1個量級,厚膜SOI硅光技術使其光損耗達到工程應用水平,單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題,是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產品。

〖特性Features

高速切換

High speed switching

高延時精度

High delay accuracy 

超小尺寸

Ultra-small size

超寬帶工作

Ultra-broadband operation

全固態波導芯片可靠性強

〖應用Applications〗

光控相控陣雷達系統、電子對抗系統

主要性能指標 Specifications

性能指標

Parameter

單位

Unit

典型值

Typical value

備注

Notes

延時位數

Delay bits

/

7

可定制

Can be customized

最小延時步進

Min.step-delay

ps

2

可定制

Can be customized

可調節最大延時量     Adjustable max.delay

ps

254


延時偏差

Delay deviation

ps

≤±0.5

≤±1@max

延時切換時間

Delay switching time

µs

≤1


插入損耗

Insertion loss

dB

14


各延時態損耗差異

Delay state loss difference

dB

±0.5


波損耗

Return loss

dB

45


芯片尺寸

Chip dimension

mm

19×11×0.7























四川梓冠光電科技有限公司成立于2015年8月,位于中國科技城——綿陽。主要致力于光通信設備和光通訊芯片的研發、設計、生產及銷售;是一家擁有自主研發能力及規模性量產能力的光通信高新技術企業。
    梓冠光電自成立以來,持續投入研發,吸納通信行業技術人才,其中博士占比人數5.7%,本科占比人數22.8%。公司產品日漸鄒于多元化,不僅擁有行業水平的光開關、光衰減器、光纖延遲線、偏振控制、MEMS器件、高速光探測器、硅基高速器件、脈沖光纖激光器、飛秒光纖激光器、半導體激光器及光路保護設備(OXC)等產品,公司還為激光雷達系統、量子通訊系統、激光聚變成像傳輸系統等提供核心的高精端光器件,其中光纖延遲器、光開關、光衰減器系列為核心技術的量產產品,產品技術獲得多項認證,其中發明6項,外觀,軟著,實用性等共16項。


四川梓冠光電科技有限公司

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