PECVD開啟式管式爐系統在真空壓力下，加在電感線圈的射頻電場，使反應室氣體發生輝光放電，在輝光發電區域產生大量的電子。這些電子在電場的作用下獲得充足的能量，其本身溫度很高，它與氣體分子相碰撞，使氣體分子活化。它們吸附在襯底上，并發生化學反應生成介質膜，副產物從襯底上解吸，隨主氣流由真空泵抽走，稱為等離子體增強化學氣相沉(PECVD)。

PECVD開啟式管式爐系統由開啟式管式爐、高真空分子泵系統、射頻電源系統及多通道高精度數字質量流量控制系統組成，是實驗室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等的理想選擇。

PECVD開啟式管式爐系統主要功能和特點：

1、PECVD具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等；

2、PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子，就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應；

3、借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜；

4、高真空系統由雙級旋片真空泵和分子泵組成，zui高真空可達0.001Pa；

5、數字質量流量控制系統是由多路質量流量計，流量顯示儀等組成，實現氣體的流量的精密測量和控制；

6、每條氣體管路均配備高壓逆止閥，保證系統的安全性和連續均勻性；

7、采用KF快速法蘭密封，裝卸方便快捷；

8、管路采用世界*Swagelok卡套連接，不漏氣；

9、超溫、過壓時，自動切斷加熱電源及流量計進氣，使用安全可靠。

PECVD開啟式管式爐系統主要用途：

高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復合薄膜等，也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。

PECVD開啟式管式爐系統技術參數：

SKGL-1200

開啟式管式爐

控溫方式

采用人工智能調節技術，具有PID調節、自整定功能，并可編制30段升降溫程序。

加熱元件

0Cr27Al7Mo2

工作電源

AC220V 50Hz/60Hz

額定功率

4kw

爐管材質

高純石英管

爐管尺寸

Φ60/Φ80*1200mm

工作溫度

≤1150℃

zui高溫度

1200℃

恒溫精度

±1℃

恒溫區

200mm

升溫速度

≤10℃/min

密封方式

不銹鋼快速法蘭擠壓密封

ZK-F

分子泵真空系統

真空范圍

0.1-0.001Pa

極限真空

4.0*10^-4Pa

產品配置

雙級旋片真空泵+分子泵

測量方式

復合真空計

真空規管

電阻規+電離規

冷卻方式

風冷

工作電源

AC220V 50/60HZ

抽速

110L/S

射頻電源系統

射頻功率輸出范圍

5~500W

射頻頻率

13.56MHz±0.005%

噪聲

≤55DB

冷卻方式

風冷

功率溫定度

± 0.1%

HQZ-Ⅳ

混氣系統

流量規格

0－200sccm （可根據客戶需要配置）

線性

±1.5%F.S

準確度

±1.5%F.S

重復精度

±0.2%F.S.

響應時間

≤8sec

耐壓

3MPa

氣路通道

4通道（根據客戶需求）

針閥

316不銹鋼

管道

Φ6mm不銹鋼管

接口

SwagelokΦ6mm