實(shí)驗(yàn)電爐PECVD系統(tǒng) 工藝中由于等離子體中高速運(yùn)動(dòng)的電子撞擊到中性的反應(yīng)氣體分子，就會(huì)使中性反應(yīng)氣體分子變成碎片或處于激活的狀態(tài)容易發(fā)生反應(yīng)；借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體，在局部形成等離子體，而等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，很容易發(fā)生反應(yīng)，在基片上沉積出所期望的薄膜；具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好、針孔較少、不易龜裂等優(yōu)點(diǎn)；

實(shí)驗(yàn)電爐PECVD系統(tǒng) 小型滑動(dòng)開啟式管式爐系統(tǒng)通過滑動(dòng)爐體來實(shí)現(xiàn)快速的升降溫，配置不同的真空系統(tǒng)來達(dá)到理想的真空度；同時(shí)通過多路高精度質(zhì)量流量計(jì)控制不同氣體。是實(shí)驗(yàn)室生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等的理想選擇。

PE實(shí)驗(yàn)電爐PECVD系統(tǒng) 主要用途：

高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備，生長薄膜石墨烯，金屬薄膜，陶瓷薄膜，復(fù)合薄膜等，也可作為擴(kuò)展等離子清洗刻蝕使用。

實(shí)驗(yàn)電爐PECVD系統(tǒng) 技術(shù)參數(shù)：

爐體結(jié)構(gòu)

雙層爐殼間配有風(fēng)冷系統(tǒng)，有效保證外殼表面溫；

爐子底部裝有一對(duì)滑軌，移動(dòng)平穩(wěn)

爐子可以手動(dòng)從一端滑向另一端，實(shí)現(xiàn)快速的加熱和冷卻

爐蓋可開啟，可以實(shí)時(shí)觀察加熱的物料

電源

電壓：AC220V 50/60Hz；功率：4KW

爐管

高純石英管，高溫下化學(xué)穩(wěn)定性強(qiáng)，耐腐蝕，熱膨脹系數(shù)極小

尺寸：Φ60*1250mm

法蘭及支撐

SUS304不銹鋼快速法蘭，通過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空

一個(gè)卡箍就能完成法蘭的連接，放、取物料方便快捷

可調(diào)節(jié)的法蘭支撐，平衡爐管的受力支撐

包含進(jìn)氣、出氣、真空抽口針閥，KF密封圈及卡箍組合

加熱系統(tǒng)

加熱元件采用優(yōu)質(zhì)合金絲0Cr27Al7Mo2，表面負(fù)荷高、經(jīng)久耐用

加熱區(qū)長度：270mm

恒溫區(qū)長度：100mm

工作溫度：≤1150℃

zui高溫度：1200℃

升溫速率：10℃/min

溫控系統(tǒng)

溫度控制采用人工智能調(diào)節(jié)技術(shù)，具有PID調(diào)節(jié)、自整定功能

30段升降溫程序

測(cè)溫元件：N型熱電偶

恒溫精度：±1℃

混氣系統(tǒng)

四路質(zhì)量流量計(jì)：數(shù)字顯示、氣體流量自動(dòng)控制

內(nèi)置不銹鋼混氣箱，每路氣體管路均配有逆止閥

管路采用不銹鋼管，接口為Φ6卡套

每路氣體進(jìn)氣管路配有不銹鋼針閥

通過控制面板上的旋鈕來調(diào)節(jié)氣體流量

流量規(guī)格：0~200sccm

流量精度：±1.5%

高真空真空系統(tǒng)

采用雙級(jí)旋片真空泵+分子泵，極限真空可達(dá)4.0*10^-4Pa

復(fù)合真空計(jì)，配置電阻規(guī)+電離規(guī)

抽速：110L/S

冷卻：風(fēng)冷

電源:AC220V 50/60Hz

射頻電源系統(tǒng)

輸出功率:0-300W

功率穩(wěn)定度：±0.1%

射頻電源頻率:13.56MHz 穩(wěn)定性±0.005%

zui大反向功率:120W

射頻電源電子輸出端口:UHF

冷卻:風(fēng)冷

電源:AC187-253V 50/60Hz

可選配件

混氣系統(tǒng),中、高真空系統(tǒng)，各種剛玉、石英坩堝，石英管，計(jì)算機(jī)控制軟件，無紙記錄儀，氧含量分析儀。