光刻機 / 紫外曝光機 （Mask Aligner）又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統，光刻機，紫外曝光機等；此型號光刻機是所有進口設備中性能價格比高的型號，達到歐美品牌的對準精度，CCD顯示屏對準更為方便，液晶觸摸屏操作，采用歐司朗紫外燈，壽命長。

 產品介紹

儀器簡介：

光刻機/紫外曝光機 (Mask Aligner)

原產國: 韓國，能做到圖形化藍寶石襯底（PSS）光刻機，高性價比

型號：KCMA-100；

又名：掩模對準曝光機，曝光系統，光刻系統，光刻機，紫外曝光機等；

ECOPIA為*的半導體設備供應商，多年來致力于掩模對準光刻機和勻膠機研發與生產，并且廣泛應用于半導體、微電子、生物器件和納米科技領域；該公司是目前世界上早將光刻機商品化的公司之一，擁有雄厚的技術研發力量和設備生產能力；并且其設備被眾多*企業、研發中心、研究所和高校所采用；以不錯的技術、*的工藝和良好的服務，贏得了用戶的青睞。

感謝南開大學，中科院半導體所,中科院長春應化所，中科院物理所，浙江師范大學使用此設備做課題研究！！

此型號光刻機是所有進口設備中性能價格比高的型號，達到歐美品牌的對準精度，CCD顯示屏對準更為方便，液晶觸摸屏操作，采用歐司朗紫外燈，壽命長。整機效果皮實耐用，正常使用3年內不會出問題！！

目前，上海藍光已采用該公司全自動型光刻機做LED量化生產，證明其品質達到LED產業標準要求！！而且已經成功提供圖形化藍寶石襯底（PSS）光刻工藝設備.

技術參數：

- 基片尺寸：4、6、8、12、25英寸，其他尺寸可定制；

- 光束均勻性：<±3%；

- 曝光時間可調范圍：0.1 to 999.9秒；

- 對準精度：0.6-1微米

- 分辨率：1微米；

- 光束輸出強度：15-25mW/cm2；

項目 技術規格

曝光系統(Exposure System)

MDA-400M型 光源功率 350W UV Exposure Light source with Power supply

分辨率 - Vacuum Contact : 1um ( Thin PR@Si Wafer )

- Hard Contact : 1um

- Soft contact : 2um

- 20um Proximity: 5um

大光束尺寸 4.25×4.25 inch

光束均勻性 ≤ ±3% (4inch standard)

光束強度 15~20mW/cm2 (365nm Intensity)

曝光時間可調整 0.1 to 999.9 sec

對準系統(Alignment System) 對準精度 1um

對準間隙 手動調節(數字顯示)

光刻模式 真空, 硬接觸, 軟接觸，漸進（Proximity）

卡盤水平調節 楔形錯誤補償Wedge Error Compensation

真空卡盤移動 X, Y: 10 mm, Theta: ±5°

Z向移動范圍 10mm

接近調整步幅 1um

樣品(Sample) 基底 Substrate 2, 3, 4 inch

掩模板尺寸 4 and 5 inch

Utilities 真空 Vacuum < -200 mbar (系統包含真空泵)

壓縮空氣 CDA > 5Kg/cm2

氮氣 N2 >3Kg/cm2

電源 Electricity 220V, 15A, 1Phase

顯微鏡及顯示器

CCD and Monitor Dual CCD zoom microscope and LCD (17inch) monitor; Magnification : 80x ~ 1000x;

光刻機 / 紫外曝光機 (Mask Aligner)的主要特點：

- 光源強度可控；

- 紫外曝光，深紫外曝光(Option)；

- 系統控制：手動、半自動和全自動控制；

- 曝光模式：真空接觸模式(接觸力可調),Proximity接近模式, 投影模式；

- 真空吸盤范圍可調；

- 技術：可雙面對準，可雙面光刻，具有IR和CCD模式

- 兩個CCD顯微鏡系統，大放大1000倍，顯示屏直接調節，比傳統目鏡對準更方便快捷，易于操作。

- 特殊的基底卡盤可定做；

- 具有楔形補償功能；