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Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 用于蝕刻 KDP 晶體

來源:伯東企業(上海)有限公司   2023年01月04日 14:25  

某廠商研發部門采用伯東  Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 用于蝕刻 KDP 晶體進行拋光加工, 用以消除單點金剛石車削(SPDT)后 KDP 晶體表面留下的周期性小尺度波紋.

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 技術參數如下:

離子蝕刻機

Ф4 inch X 6片

基板尺寸

< Ф3 inch X 8片
< Ф4 inch X 6片
< Ф8 inch X 1片

樣品臺

樣品臺可選直接冷卻 / 間接冷卻, 0-90度旋轉

離子源

20cm 考夫曼離子源

均勻性

±5% for 8”Ф

硅片蝕刻率

20 nm/min

溫度

<100

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 產品圖如上圖, 其主要構件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼離子源, 觸摸屏控制面板, 真空腔體, 樣品臺. 如下圖:

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的核心構件離子源采用的是伯東公司代理美國 考夫曼博士創立的 KRI考夫曼公司的射頻離子源 RFICP220.

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術參數:

離子源型號

RFICP 220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦

流量

10-40 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 的樣品臺可以 0-90 度旋轉, 實現樣品均勻地接受離子的轟擊, 進而實現提高樣品的加工質量.

 

Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 配套的是伯東 Pfeiffer 渦輪分子泵 Hipace 700.

 

通過采用伯東  Hakuto 離子蝕刻機 20IBE-C 刻蝕后, 單點金剛石車削后的表面由初始的6.54nm RMS, 經過 1.76nm RMS 的平坦化層, 最終刻蝕轉移到 KDP 晶體表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.  

 

若您需要進一步的了解詳細產品信息或討論 , 請參考以下聯絡方式 :

上海伯東 : 羅先生        


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