當前位置：儀器網 > 產品中心 > 化學分析儀器>X射線儀器>俄歇電子能譜（AES）>RHEED 反射式高能電子衍射儀
返回產品中心>RHEED-反射式高能電子衍射儀是觀察晶體生長重要的實時監測工具之一。它可以通過非常小的掠射角將能量為10～30KeV的單能電子掠射到晶體表面，通過衍射斑點獲得薄膜厚度，組分以及晶體生長機制等重要信息。 因此反射高能電子衍射儀已成為MBE、PLD等系統中監測薄膜表面形貌的一種標準化技術。
R-DEC公司生產的反射高能電子衍射儀，以便于操作者使用的人性化設計，穩定性和耐久性以及擁有高亮度的衍射斑點等特點，得到日本本土及其他國家各研究機構的*好評和認可。
RHEED-反射式高能電子衍射儀特點：
可遠程控制調節電壓，束流強度，聚焦位置以及光束偏轉
XY軸±5度電子束偏轉
高效熒光屏擁有高亮度衍射斑點
電子槍內表面經特殊處理，能實現極低放氣率
鎳鐵高導磁合金磁屏蔽罩(可選)
可搭載差動排氣系統用于低真空系統(可選)
負高壓電源安全閉鎖功能
經久耐用，穩定可靠
符合歐盟RoHS指令
kSA400分析軟件(可選)
RHEED-反射式高能電子衍射儀規格：
30KeV 電子槍
| 型號 | RDA-004G |
| 電子束徑 | φ90μm |
| 燈絲 | φ0.1mm 發夾式鎢燈絲 |
| 控制電極 | 定量偏壓 |
| 集束線圈 | 空心型電磁線圈 |
| 偏向線圈 | 環形電磁線圈 |
| 軸向校正 | 燈絲，控制電極 |
| 絕緣電壓 | DC30KV |
| 工作壓強范圍 | < 10-4Pa～10-9Pa |
| 大烘烤溫度 | 200℃ |
| 連接法蘭 | ICF70（外徑φ2.75英寸） |
| 外形尺寸 | φ100 x 401mm （可加長100mm） |
30KeV 電子槍電源
| 型號 | RDA-004P |
| 加速電壓 | 0～30KV 定電壓電源（紋波值≤0.03%） |
| 電子束電流 | 0～160μA |
| 燈絲電源 | 0～2V定電壓電源2Amax（紋波電壓≤0.05%） |
| 燈絲電流 | Max. 2A |
| 偏向線圈電源 | ±1A定電流電源±1V（紋波電壓≤0.05%） |
| 集束線圈電源 | ±0～1.5A定電流電源0～22V（紋波電壓≤0.05%） |
| 輸入電壓 | 200V, 220V, 230V, 240V |
| 外形尺寸 | 480mm x 199mm x 500mm（可加長100mm） |
| 安全功能 | 安全閉鎖裝置 |
反射高能電子衍射儀分析系統（kSA400 Leader in Analytical RHEED and LEED）
kSA400 分析軟件是較專業的RHEED分析系統，適合各種反射高能電子衍射儀和薄膜沉積系統，目前第四代系統結合優質的硬件和功能強大的軟件除了可以實時取得分析數據之外，還可實現實時晶格間距，原位應力，實時薄膜沉積速率以及薄膜厚度的解析。為用戶提供較廣泛的RHEED分析信息。
RHEED應用
RHEED可以廣泛應用于MBE(分子束外延), PLD(脈沖激光沉積)等其它需要實時監測材料生長狀態的設備中。它將帶有晶體表面信息的反射束呈現于接收熒光屏上，通過圖像采集和解析軟件，對收集到的信息進行分析，從而使用戶獲得薄膜厚度，組分以及晶體生長機制等重要信息。
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