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硅光電倍增管(SiPM)

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硅光電倍增管(SiPM)

具有單光子靈敏度的創新型固態硅探測器,是光電倍增管的有效替代品之一,優勢在于其高增益特性、響應速度快和低工作電壓,還具有對磁場不敏感和集成度高等特點。芯片級封裝(CSP)采用無邊框硅光電倍增管沖模,提供經濟高效的解決方案,以此大限度地擴大活躍區面積。

典型應用領域包括高能物理、醫學影像學、核醫學、國土安全及分析儀器等。

特性:
● 出色的單光子探測靈敏度
● 光檢測工作距離長(響應波長:350至900nm)
● 暗計數率 <100/<200 kHz/mm2
● 擊穿電壓一致性
● 良好的溫度穩定性
● 高增益 (106)
● 定時性能好
● 對磁場不敏感
● 即使直接曝光在環境背景光下也不會損壞探測器
● 芯片級封裝(CSP)符合RoHS要求


近紫外線(NUV)硅光電倍增管

芯片封裝

有效面積(mm)

像素尺寸(µm)

像素

填充因子

暗計數率(kHz/mm2)

光子探測效率 (%)

增益

SMD

1x1

40x40

625

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV

SMD

1.2

40x40

673

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV

SMD

3x3

40x40

5520

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV

SMD

4x4

40x40

9340

60

<50 @ 2 V OV

43

3.6x106

<100 @ 6 V OV


紅綠藍3通道(RGB)硅光電倍增管

芯片封裝

有效面積(mm)

像素尺寸(µm)

像素

填充因子

暗計數率(kHz/mm2)

光子探測效率(%)

增益

SMD

1x1

40x40

625

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV

SMD

1.2

40x40

673

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV

SMD

3x3

40x40

5520

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV

SMD

4x4

40x40

9340

60

<100 @ 2 V OV

32.5

2.7x106

<200 @ 4 V OV



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