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InGaAs銦鎵砷探測器

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InGaAs銦鎵砷探測器

特性：

● 靈敏度高達1700nm

● 低暗電流

● 活動區面積可達0.7至7mm2


型號

有效面積

光譜響應 (A/W)

暗電流 (nA)@5V

電容(pF)@5V

帶寬 (nm)

芯片

封裝

尺寸(mm)

面積 (mm2)

@650 nm / @1550 nm

PC0.7-i

LCC6.1

1

0.7

0.05 / 0.95

2

70

900…1700

PC0.7-ix

LCC6.1

1

0.7

0.3 / 0.95

2

70

600…1700

PC0.7-ix

TO52S1

1

0.7

0.3 / 0.95

2

70

600…1700

PC7.1-i

TO5i

3

0.7

0.05 / 0.95

25

700

900…1700


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