主要特點
詳細說明
作為擁有30多年歷史的貴金屬熱電偶行業先驅者, BASF已將其溫度測量技術專長應用于光學溫度測量。 Exactus®紅外溫度傳感器（EI100 / EI110）取得了技術性突破，在非接觸式溫度測量中表現出了顯著的性能優勢。與其他同類產品相比，其靈敏的電子技術、精密光學技術以及利用短波長測量低溫的能力使得過程控制更加嚴格、精度更高、整體性能更好.
BASF Exactus®的原創紅外技術在控制晶圓之間溫度和薄膜厚度的均勻性方面具有許多優勢：高度敏感的電子學和先進的光學技術意味著可以用更短波長的探測器來測量輻射能，這減少了晶圓透射及發射率造成的誤差。此外，高速測量和高分辨率確保了控溫和噪聲抑制的優異性能， 由此提供了更好的晶圓溫度監控和生產工藝。
BASF EXACTUS紅外測溫儀已廣泛用于快速退火、快速氧化、薄膜沉積等半導體工藝，并被集成在多家MOCVD設備以及其他RTP設備上如：AIXTRON, LPE，Premtek等。另外，由于其具有很高的測溫精度和穩定性，也被一些高溫黑體爐廠家作為溫度標準器使用，如Thermogauge公司。
BASF EXACTUS紅外測溫儀 EX-S-2PY整套配置包含EI110傳感器，IFD5數字模塊，綠激光筆模塊，配套線纜等。該型號測溫儀主要用于硅晶圓的外延生長研究，也常被用作高溫黑體爐的標準器，其測溫精度高達1.5℃, 重復性0.1℃。
典型應用
技術參數
| 測量參數 |
|---|
| 溫度范圍: | 265 – 2600℃
365 - 3000℃
|
| 工作波長: | 900 nm |
| 測量精度: | 優于1.5℃ 或 0.15%測值 |
| 分辨率: | 最高0.01℃ |
| 重復精度: | 0.1℃ |
| 溫度漂移: | 最大 0.10℃/年
環境: 0.05℃/℃ @ 20-45℃, 0.10℃/℃ @ 其它溫度 |
| 測量速率: | 最高1000 測值/秒, 響應時間1ms |
| 鏡頭 | 固定焦距，光路可訂制 |
| 物理參數 |
|---|
| 供電: | 12-28 VDC, 3W |
| 存儲溫度: | -20 to 70℃ |
| 環境溫度: | 電子器件: 0 - 60℃
惡劣環境下專用鏡頭: 0 - 250℃
高溫光纖: 0 - 250℃ |
| 外殼材質: | 傳感器和鏡頭外殼，304 不銹鋼/鋁；
氣吹外殼，鋁；
惡劣環境專用鏡頭: 304 不銹鋼； |
| 重量: | 標準高溫計，0.510 kg (1.125 lbs.)
光纖傳感器，0.198 kg (7 oz.) |
