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Optotherm熱發射顯微鏡系統

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熱發射顯微鏡系統(ThermalEmissionmicroscopysystem),是半導體失效分析和缺陷定位的常用的三大手段之一(EMMI,THERMAL,OBIRCH),是通過接收故障點產生的熱輻射異常來定位故障點(熱點/HotSpot)位置

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熱發射顯微鏡系統(Thermal Emission microscopy system),是半導體失效分析和缺陷定位的常用的三大手段之一(EMMI,THERMAL,OBIRCH),是通過接收故障點產生的熱輻射異常來定位故障點(熱點/Hot Spot)位置。

而OPTOTHERM Sentris 熱發射顯微鏡系統,標配LOCK IN THERMOGRAPHY鎖相熱成像技術,將鎖相技術和熱成像技術有機結合,獲得超過1mk以上的溫度分辨率,對u漏電流或微短路等導致的缺陷,提供了非常好的解決方案。

Thermal EMMI 在電子及半導體行業應用,行業專家一刀博士有生動的描述,thermal 的應用/jishu_920621_1_1.html.

sentris紅外熱分析顯微鏡

1. 它的應用非常廣泛,去封裝的芯片分析,未去封裝的芯片分析,電容,FPC,甚至小尺寸的電路板分析(PCB、PCBA),這也就讓你可以在對樣品的不同階段都可以使用thermal技術進行分析,如下圖示例,樣品電路板漏電定位到某QFN封裝器件漏電,將該器件拆下后發現漏電改善,對該器件焊引線出來,未開封定位為某引腳,開封后扎針上電再做分析,進一步確認為晶圓某引線位置漏電導致,如有需要可接著做SEM,FIB等分析。 leo.

未開封器件漏電分析

未開封器件分析

lockin-ic開封器件分析

開封器件分析

2. 它能偵測的半導體缺陷也非常廣泛,微安級漏電,低阻抗短路,ES擊傷,閂鎖效應點,金屬層底部短路等等,而電容的漏電和短路點定位,FPC,PCB,PCBA的漏電,微短路等也能夠精確定位

lock-in鎖相分析

lock-in鎖相分析

開封芯片漏電分析

開封芯片漏電分析

GAN-SIC器件

GAN-SIC器件

3,它是無損分析:作為日常的失效分析,往往樣品量稀少,這就要求失效分析技術是無損的,而對于某些例如陶瓷電容和FPC的缺陷,雖然電測能測出存在缺陷,但是對具體缺陷位置,市場上的無損分析如XRAY或超聲波,卻很難進行定位,只能通過對樣品進行破壞性切片分析,且只能隨機挑選位置,而通過Thermal 技術,你需要的只是給樣品上電,就可以對上述兩種缺陷進行定位

無標題

FPC缺陷分析

電容漏電分析

電容缺陷分析

4,鎖相熱成像(LOCK IN THERMOGRAPHY):利用鎖相技術,將溫度分辨率提高到0.001℃,5um分辨率鏡頭,可以偵測u漏電流和微短路缺陷,遠由于傳統熱成像及液晶熱點偵測法(0.1℃分辨率,m漏電流熱點)

鎖相熱成像定位

5,系統能夠測量芯片等微觀器件的溫度分布,提供了一種快速探測熱點和熱梯度的有效手段,熱分布不僅能顯示出缺陷的位置,在半導體領域

結溫測量

在集成電路操作期間,內部結自加熱導致接合處的熱量集中。器件中的峰值溫度處于接合處本身,并且熱從接合部向外傳導到封裝中。因此,器件操作期間的精確結溫測量是熱表征的組成部分。

貼附評估

芯片附著缺陷可能是由于諸如不充分或污染的芯片附著材料,分層或空隙等原因引起的。Sentris熱分析工具(如 圖像序列分析)可用于評估樣品由內到外的熱量傳遞過程,以便確定管芯接合的完整性。

OPTOTHERM Sentris 熱發射顯微鏡系統作為一臺專業為缺陷定位的系統,專為電子產品FA設計,通過特別的LOCK-IN技術,使用LWIR鏡頭,仍能將將溫度分辨率提升到0.001℃(1mK),同時光學分辨率達到5um,尤其其軟件系統經過多年的優化,具有非常易用和實用,以下是OPTOTHERM Sentris 熱發射顯微鏡系統分析過程的說明視頻

LEADERWE (‘Leaderwe intelligent international limited ‘and ‘ShenZhen Leaderwe Intelligent Co.,Ltd‘)作為Optotherm公司中國代表,在深圳設立optotherm紅外熱分析應用實驗室,負責該設備的演示和銷售,如有相關應用,可提供免費評估測試服務。


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