系統規格：波長：637nm入射角：連續，30~90°（±0.03°）樣品尺寸：4inch~8inch精度：（1200A SiO2標準片，5times） TKS±2.5A/N±0.005尺寸：80cm×34cm×42cm應用：鍍膜工藝 *化及監控 SiNx減反膜工藝 TiO2減反膜工藝 復合SiNx減反膜工藝SiO2鈍化工藝復合SiNx/SiO2減反膜工藝SiO2掩膜工藝
系統規格：
波長：637nm
入射角：連續，30~90°（±0.03°）
樣品尺寸：4inch~8inch
精度：（1200A SiO2標準片，5times）
TKS±2.5A/N±0.005
尺寸：80cm×34cm×42cm
軟件特征：
整合量測、分析、計算
操作模式安全化
同步原始數據呈現
硬件特征：
半導體鐳射光源
三格林泰勒棱鏡偏振系統
波長：260-1800nm
消光比：＞105
發散角：≤3mrad
真空吸附載物臺
自動連續入射角（零度校正）
高分辨率半導體探測器
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