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蔡司掃描電鏡Gemini系列

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聚苯乙烯球上的金納米顆粒,在3kV電壓下成像

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聚苯乙烯球上的金納米顆粒,在3kV電壓下成像。左:Inlens SE 圖像,表面形貌。右:EsB 圖
像,材料襯度。樣品:由德國University Erlangen-Nuremberg 大學的 N. Vogel 提供。

蔡司GeminiSEM 系列
用于進行高襯度和低電壓成像的場發射掃描電子顯微鏡


GeminiSEM 系列產品能夠輕松實現亞納米分辨成像,即便在低真空模式下仍具有的探測效率。GeminiSEM 500 將成熟的 Gemini 技術與革新的光學設計結合,從而全面提升成像分辨率,尤其是在低電壓下。借助其 20 倍增強的 in-lens 信號探測能力,您能夠快速地獲取清晰圖像,并使樣品損傷降至。GeminiSEM 系列產品的全新可變壓力模式,讓您擁有在高真空環境下成像的感覺。
運用 GeminiSEM 系列產品獲取真實世界中任意樣品的出色圖像,為您的研究、工業實驗室或成像平臺添置一臺靈活、可靠的場發射掃描電子顯微鏡。

在低電壓下獲取更豐富的細節信息

  • 在低電速電壓下利用高襯度照片解析納米級結構信息。
  • 500V電壓下達到1.2nm分辨率成像,在1kV電壓下達到1.1nm分辨率成像。您將受益于無樣品偏差的出色圖像品質。
  • 成熟的Gemini技術縮短了成像時間。

隨時提供更強的信號
  • GeminiSEM 500新的物鏡設計大大提高了檢測效率。它將in-lens二次電子信號增強了20倍。
  • 通過檢測最合適的那部分電子信號, 您可以提升效率并獲得樣品的信息。
  • 您可以利用這一優勢顯著縮短成像時間,或者使用更低電流以避免樣品損傷。

可變壓力使其更具靈活性
  • 在可變壓力模式下工作,讓您擁有在高真空環境下成像的感覺。
  • 在可變壓力下使用in-lens檢測。獲得高分辨率、高襯度和高信噪比的圖像。
  • 如今,即使是要求的非導電樣品也能獲得清晰圖像。

技術規格
基本規格 蔡司 GeminiSEM 500 蔡司 GeminiSEM 300
分辨率* 15 kV 時,0.5 nm 15 kV 時,0.7 nm
1 kV 時,0.9 nm 1 kV 時,1.2 nm
0.5 kV 時,1.0 nm
在 30 Pa 樣品室壓力和 3 kV 電壓(配有
可變壓力機型)下,1.4 nm
加速電壓 0.02 30 kV
探針電流 3 pA - 20 nA(另有 100 nA 配置)
放大倍率 50 2,000,000 × 12 2,000,000 ×
電子槍 熱場發射型,穩定性優于 0.2%/h
主機標配探測器 Inlens 二次電子探測器
Everhart Thornley 二次電子探測器
高效 VPSE 探測器(包含在可變壓力選件中)
可選配的探測器
環形 STEM 探測器(aSTEM 4)
AsB4背散射探測器
陰極熒光探測器
圖像存儲 32k × 24k 像素
樣品臺 5 軸電動優中心樣品臺
X = 130 mm;Y = 130 mm
Z = 50 mm
T = -3o - 70o
R = 360o (連續)
按需可提供更多載物臺選件


*工作距離處的分辨率參數,取決于配置


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