聚苯乙烯球上的金納米顆粒,在3kV電壓下成像
基本規格 | 蔡司 GeminiSEM 500 | 蔡司 GeminiSEM 300 |
分辨率* | 15 kV 時,0.5 nm | 15 kV 時,0.7 nm |
1 kV 時,0.9 nm | 1 kV 時,1.2 nm | |
0.5 kV 時,1.0 nm | ||
在 30 Pa 樣品室壓力和 3 kV 電壓(配有 可變壓力機型)下,1.4 nm | ||
加速電壓 | 0.02 – 30 kV | |
探針電流 | 3 pA - 20 nA(另有 100 nA 配置) | |
放大倍率 | 50 – 2,000,000 × | 12 – 2,000,000 × |
電子槍 | 熱場發射型,穩定性優于 0.2%/h | |
主機標配探測器 | Inlens 二次電子探測器 | |
Everhart Thornley 二次電子探測器 | ||
高效 VPSE 探測器(包含在可變壓力選件中) | ||
可選配的探測器 | ||
環形 STEM 探測器(aSTEM 4) | ||
AsB4背散射探測器 | ||
陰極熒光探測器 | ||
圖像存儲 | 32k × 24k 像素 | |
樣品臺 | 5 軸電動優中心樣品臺 | |
X = 130 mm;Y = 130 mm | ||
Z = 50 mm | ||
T = -3o - 70o | ||
R = 360o (連續) | ||
按需可提供更多載物臺選件 | ||
*工作距離處的分辨率參數,取決于配置 |
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